【外延论文】Ga₂O₃  的蚀刻：设备制造的重要工艺

        近期，由南京邮电大学的研究团队在学术期刊Journal of Physics D: Applied Physics发布了一篇名为Etching of Ga₂O₃: an important process for device manufacturing（Ga₂O₃ 的蚀刻：设备制造的重要工艺）的文章。

摘要

        蚀刻在电子和光电子器件的加工和制造中起着关键作用。对于超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃），其蚀刻研究和演化机制仍处于早期阶段，需要投入更多的研究热情。在本综述中，我们对 Ga₂O₃的蚀刻进行了总结，包括干法（等离子体）蚀刻、湿化学蚀刻和光电化学蚀刻，并讨论了蚀刻结果、存在问题和可行解决方案，为进一步开发 Ga₂O₃蚀刻和 Ga₂O₃ 基电子和光电子器件提供指导和建议。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad773d