【外延论文】通过脉冲硅掺杂与 MOCVD 在同位β-Ga₂O₃ 薄膜中实现高效掺杂结果

        近期，由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊Crystal Growth & Design发布了一篇名为High-Efficiency Doping Outcomes in Homoepitaxial β-Ga₂O₃ Films via Pulsed Si Doping with MOCVD（通过脉冲硅掺杂与 MOCVD 在同位β-Ga₂O₃ 薄膜中实现高效掺杂结果）的文章。

摘要

        使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，沉积了脉冲Si掺杂的本征外延氧化镓β-Ga₂O₃薄膜于(010) β-Ga₂O₃衬底上。研究了Si脉冲占空比对薄膜形貌、结构及电学性能的影响。所有掺杂薄膜的(020)摇摆曲线的全宽半高（FWHM）均小于55角秒，表明晶体质量优异。相比于连续Si掺杂，采用Si掺杂脉冲宽度调制的方法将表面粗糙度减少了约2.83到9.32倍。特别是在0.3分钟Si源排放时间和0.1分钟运行条件下，获得了高达99.1%的激活率，最大化了电性能。这包括获得了最低电阻率0.0042 Ω·cm，以及在载流子浓度为3.35×10¹⁹ cm^–3时的电子迁移率44.1 cm²/(V·s)。脉冲Si掺杂提供了足够的扩散时间，使Si原子有效掺杂，从而增强了薄膜的高载流子浓度电学性能，为其在超宽禁带半导体器件中用作欧姆接触提供了有效途径。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.cgd.4c01049