【外延论文】c- 和 m- 蓝宝石晶向对金属有机化学气相沉积法生长的 β-Ga₂O₃ 薄膜的结构和电学特性的影响

        由秘鲁天主教大学的研究团队在学术期刊Journal of Physics D: Applied Physics发布了一篇名为Impact of c- and m- sapphire plane orientations on the structural and electrical properties of β-Ga₂O₃ thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition（c- 和 m- 蓝宝石晶向对金属有机化学气相沉积法生长的 β-Ga₂O₃ 薄膜的结构和电学特性的影响）的文章。

摘要

        本文对在c-和m-蓝宝石衬底上通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的Ga₂O₃薄膜的结构和电学性能进行了全面研究。结构表征显示在两种衬底取向上均形成了β-Ga₂O₃相，在c-蓝宝石衬底上呈现出强的外延（-201）择优生长，而在m-蓝宝石衬底上形成了多晶薄膜。研究结果表明，与在c-蓝宝石衬底上生长的Ga₂O₃薄膜相比，Ga₂O₃/m-蓝宝石薄膜表现出更低的电阻率。接受体能级的激活能分别估算为约1.4 eV（c-蓝宝石衬底）和约0.7 eV（m-蓝宝石衬底），表明在m-蓝宝石衬底上生长Ga₂O₃有助于实现弱补偿的样品。阴极荧光分析表明，在m-蓝宝石衬底上生长的Ga₂O₃中，观察到的附加低激活能（约0.18 eV）可能与热诱导的自陷空穴态的迁移有关。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad76bb