【器件论文】Ga₂O₃/GaN 异质结的进展与前景：从制造到高性能器件

        近期，由南京邮电大学的研究团队在学术期刊Materials Science in Semiconductor Processing发布了一篇名为Advances and prospects in Ga₂O₃/GaN heterojunctions: From fabrication to high-performance devices（Ga₂O₃/GaN 异质结的进展与前景：从制造到高性能器件）的文章。

摘要

        氧化镓 (Ga₂O₃) 和氮化镓 (GaN) 分别是第四代和第三代半导体材料。它们的异质结构（(100) β-Ga₂O₃ 的晶格失配率仅约为 4.7%）被认为是解决 Ga₂O₃ 基 p-n 同质结双极器件制备难题的有力候选方案。此外，Ga₂O₃可作为 GaN 基器件的栅氧层和窗口材料，具有可调导电性和良好的光透过性，两者在性能上相互补充。本综述系统介绍了 Ga₂O₃/GaN 异质结构中的能带对齐问题（I型或II型），概述了金属有机化学气相沉积、脉冲激光沉积、雾化化学气相沉积、分子束外延等方法的制造细节。随后，详细描述了基于 Ga₂O₃/GaN 异质结的电力器件（p-n二极管、高电子迁移率晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管）和光电子器件（发光二极管、紫外光探测器），并全面总结了器件结构和性能特性的最新进展。最后，展望了Ga₂O₃ 的 p 型掺杂和低温欧姆接触的未来应用。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108874