【器件论文】异质界面增强型高性能 a-Ga₂O₃薄膜光电晶体管

        近期，由上海大学的研究团队在学术期刊Applied Surface Science发布了一篇名为Hetero-interface boosted high-performance a-Ga₂O₃ thin-film phototransistors（异质界面增强型高性能 a-Ga₂O₃ 薄膜光电晶体管）的文章。

摘要 

        本研究通过构建与镁掺杂氧化锌（Mg:ZnO）的异质界面，探究了非晶氧化镓（a-Ga₂O₃）薄膜光晶体管的性能增强。优化后的a-Ga₂O₃/Mg:ZnO界面显著改善了光生载流子的分离、传输和收集效率，充分利用了Mg:ZnO优异的电子传输特性。由此制成的光晶体管表现出高达1.27 A/W的光致发光率，并展示了在极薄的光敏层（约60 nm）下的X射线检测能力。这些进展表明了该技术在高灵敏度和高选择性的紫外线（UV）光检测技术中具有潜在应用价值，适用于远程感应、环境监测和紫外通信系统等领域。该研究强调了异质界面工程在克服a-Ga₂O₃固有局限性方面的有效性，从而提升了基于Ga₂O₃的光电子器件的性能和应用前景。

DOI：

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.161179