【国际论文】宽带隙和超宽带隙电子半导体器件专题

        近期，由德国费迪南德-布劳恩研究所的研究团队在学术期刊Applied Physics Letters发布了一篇名为Special topic on Wide- and ultrawide bandgap electronic semiconductor devices（宽带隙和超宽带隙电子半导体器件专题 ）的文章。

        尽管过去几十年在宽带隙材料领域取得了巨大进展，但由这些材料制成的器件在高频率和高电压水平下仍未达到其最大理论性能。同时，新的超宽带隙材料有可能进一步提高这种性能，但需要更好地理解在特定操作条件和任务配置下的移动载流子动力学、载流子传输、电子-空穴复合以及与带电缺陷的相互作用，这包括对支持的建模和模拟的理解。本论文集总结了在一些关键宽带隙和超宽带隙半导体技术方面的最新进展，涵盖了用于射频和功率应用的氮化镓（GaN）、铝镓氮（AlGaN）、氮化铝（AlN）、氧化镓（Ga₂O₃）、氮化硼（BN）以及金刚石等材料和器件，还包括光子器件。同时，也收录了一些关于新表征技术和半导体辐射效应的更为广泛的论文，因为这些内容对于所有宽带隙半导体器件开发者来说都具有普遍的兴趣。以下段落概述了本论文集中关于“宽带隙和超宽带隙电子半导体器件”这一专题所涵盖的主要主题，包括：（1）基于GaN的器件和材料，（2）氧化镓器件和技术，（3）新型宽带隙材料，（4）金刚石，（5）光子学，（6）显著的表征方法。

DOI：

doi.org/10.1063/5.0221783