【外延论文】使用 β-Ga₂O₃ 薄膜成功实现电场调制，以增强 SOI LDMOS 晶体管的直流和射频特性

        近期，由伊朗塞姆南大学的研究团队在学术期刊Journal of Materials Science: Materials in Electronics发布了一篇名为Successful electric field modulation to enhance DC and RF features in SOI LDMOS transistors using a β-Ga₂O₃ film（使用 β-Ga₂O₃ 薄膜成功实现电场调制，以增强 SOI LDMOS 晶体管的直流和射频特性）的文章。

摘要

        本文介绍了一种成功的电场调制方法，通过在横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管中引入β-Ga₂O₃薄膜，以增强其电气特性。在漂移区中集成β-Ga₂O₃薄膜，有效提高了电场调制效率，并增强了直流（DC）和射频（RF）性能。此外，在所提出的结构中，在埋氧化物层中嵌入了一层硅，以改善自热效应。总体而言，提出的SOI LDMOS中的β-Ga₂O₃薄膜结构（βF-LDMOS）在电场分布、最大可用功率增益、单向功率增益、栅-漏电容、击穿电压和最大晶格温度方面均表现出改进的性能。这使其成为在高电压和高功率处理能力需求下，适用于射频功率应用的有前途的候选者。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s10854-024-13278-w