论文分享
-
【国内论文】河北半导体研究所＆中国科大：具有源极场板且击穿电压超过 7kV 的 β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃ MOSFET
[ 2025-07-28 ] -
【国际论文】(100) β-(ScₓGa₁₋ₓ)₂O₃/Ga₂O₃异质结的结构和电学性质
[ 2025-07-28 ] -
【其他论文】对 Ga₂O₃:Eu³⁺/Ti⁴⁺ 复合超宽带隙半导体中显著增强的红光发光发射的深入探讨
[ 2025-07-28 ] -
【其他论文】基于第一性原理的 Zn 掺杂 β-Ga₂O₃ 研究：电子、光电子及热力学性质
[ 2025-07-28 ] -
【其他论文】绿色合成 β-Ga₂O₃ 纳米颗粒的结构、弹性、发光、电学及第一性原理分析
[ 2025-07-28 ] -
【会员论文】日本东京大学＆NCT---基于热电子发射-扩散模型分析精确确定的Ni/β-Ga₂O₃ SBD势垒高度的温度依赖性
[ 2025-07-25 ] -
【国内论文】中山大学王钢教授团队：通过使用具有较大离轴角度的蓝宝石衬底对MOCVD生长的ε-Ga₂O₃薄膜的缺陷结构进行调控
[ 2025-07-25 ] -
【国际论文】通过去除表面碳实现非合金化Ti/Au欧姆接触与β-Ga₂O₃之间的0.05 Ω-mm接触电阻
[ 2025-07-25 ] -
【器件论文】Cr₂MnO₄ 薄膜的干法刻蚀用于形成与 β-Ga₂O₃ 的 p-n 结
[ 2025-07-25 ] -
【器件论文】基于 β-Ga₂O₃ 衬底的非对称栅极梯度 AlGaN/GaN HEMT 在射频应用中的性能提升
[ 2025-07-25 ]
