【专家风采】周大顺 —— 联盟技术专家委员会委员

个人简介

周大顺  

现任职于德国莱布尼茨晶体研究所，氧化镓生长实验室独立研究员。周大顺博士曾在德国柏林工业大学获得化学博士学位。研究兴趣涵盖氧化镓薄膜制程开发，晶体生长理论，机器学习在半导体材料生长的应用和实时生长监测算法开发。在ACS Nano, Applied Physics Letter, Applied Surface Science 和 APL Materials等著名期刊上发表近30篇论文，及多项国际会议论文和国际专利。获得德国晶体生长协会年度青年科学家奖，并担任Advanced Materials, Applied Physics Letter 和 Journal of Crystal Growth等期刊的审稿人。

成果展示

1、Micron-level 厚度(100)面相氧化镓薄膜

※Chou, T.-S. et al. Fast homoepitaxial growth of (100) β-Ga₂O₃ thin films via MOVPE process. AIP Adv. 11, 115323 (2021).

※Chou, T.-S. et al. High-mobility 4 µm MOVPE-grown (100) β-Ga₂O₃ thin film by parasitic particles suppression. Jpn. J. Appl. Phys. 62, SF1004 (2023).

※Chou, T.-S. et al. Suppression of particle formation by gas-phase pre-reactions in (100) MOVPE-grown β-Ga₂O₃ films for vertical device application. Appl. Phys. Lett. 122, 052102 (2023).

※Chou, T.-S. et al. Exploring Miscut Angle Influence on (100) β-Ga₂O₃ Homoepitaxial Films Growth : Comparing MOVPE Growth with MBE Approaches. J. Appl. Phys. 134, 195301 (2023).

2、氧化镓薄膜表面形貌不稳定性研究

※Chou, T.-S. et al. Influencing the morphological stability of MOVPE-grown β-Ga₂O₃ films by O₂/Ga ratio. Appl. Surf. Sci. 660, 159966 (2024).

3、机器学习预测氧化镓薄膜生长

※Chou, T.-S. et al. Machine learning supported analysis of MOVPE grown β-Ga₂O₃ thin films on sapphire. J. Cryst. Growth 592, 126737 (2022).

4、氧化镓薄膜生长实时监测算法

※Chou, T.-S. et al. Homoepitaxial growth rate measurement and surface morphology monitoring of MOVPE-grown Si-doped (100) β-Ga₂O₃ thin films using in-situ reflectance spectroscopy. J. Cryst. Growth 603, 127003 (2023).

※Chou, T.-S. et al. In-situ spectral reflectance investigation of hetero-epitaxially grown β-Ga₂O₃ thin films on c-plane Al₂O₃ via MOVPE process. Appl. Surf. Sci. 652, 159370 (2024).

专家寄语

氧化镓相对于其他宽能带半导体有明显的性质和价格优势。而高质量且价格合适的氧化镓薄膜是决定能否更早进入市场化的关键，这需要领域内的通力合作让市场看到氧化镓这一新兴半导体的明亮前景。期许未来的十年会是氧化镓的黄金十年。