【国际论文】基于β-氧化镓/氧化镍/β-氧化镓异质结结构的紫外线光电探测器

        近期，由日本石卷专修大学的研究人员在科学期刊《Optoelectronic Sensors》中发表了一篇名为Ultraviolet Photodetector Based on a Beta-Gallium Oxide/Nickel Oxide/Beta-Gallium Oxide Heterojunction Structure（基于β-氧化镓/氧化镍/β-氧化镓异质结结构的紫外线光电探测器）的氧化镓文章。

文章摘要

        在本文中，我们制造了一个基于β-Ga₂O₃/NiO/β-Ga₂O₃结构的n–p–n结构。基于β-Ga₂O₃/NiO/β-Ga₂O₃结构的设备作为一个紫外(UV)光电探测器，与基于NiO/β-Ga₂O₃结构的p–n二极管进行了比较，在其中显示出整流和响应度增大10倍并放大了光电流。反向电流的增加与 1.5 倍紫外光强度成正比。光电流放大与NiO层中空穴的积累有关，因为由NiO层到β-Ga₂O₃层之间存在空穴的异质屏障。此外，该设备可以响应少于几微秒的光脉冲。

图 1. 器件的横截面结构及其俯视图。三个电极分别用 E、B 和 C 表示。