【专利信息】国内企业加速卡位氧化镓！山东国投、天岳先进公布重磅专利

日期：2026-05-18阅读：2

近年来，随着氧化镓（Ga₂O₃）在超宽禁带半导体领域关注度持续提升，其在功率器件、深紫外探测、高温电子学等方向展现出的应用潜力，正推动产业链加速向材料端延伸。其中，单晶生长质量与杂质控制被视为影响氧化镓器件性能与产业化进程的关键环节之一。围绕晶体纯度、缺陷控制及生长过程优化，国内企业正持续加快相关技术布局。近日，山东国投控股集团有限公司与山东天岳先进科技股份有限公司分别公开氧化镓单晶杂质检测分析及低杂质晶体生长相关专利，进一步反映出产业界对氧化镓核心工艺与材料质量控制的高度重视。

山东国投控股：基于拉曼光谱检测的氧化镓单晶生长杂质检测分析方法

国家知识产权局信息显示，山东国投控股集团有限公司申请一项名为“基于拉曼光谱检测的氧化镓单晶生长杂质检测分析方法”的专利，公开号CN122045794A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开了基于拉曼光谱检测的氧化镓单晶生长杂质检测分析方法，涉及半导体晶体检测分析技术领域，包括基于含空间坐标的时序拉曼光谱数据集生成杂质溯源有向传播图，推演并筛选候选杂质迁移路径，整合形成层级化杂质分布与演化网络，经物理分割得到杂质主导缺陷簇，对各缺陷簇开展跨生长周期杂质浓度扩散反演，量化杂质贡献权重，结合晶体生长过程数据库生成结构化检测分析报告。该方法依托时空光谱数据构建杂质传播关系，实现迁移路径的量化筛选与缺陷簇的精细化反演，精准界定不同生长阶段杂质的贡献程度，为氧化镓单晶生长杂质检测提供完整的分析路径。

山东天岳先进科技：一种低杂质含量的氧化镓晶体及其生长方法

5月14日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种低杂质含量的氧化镓晶体及其生长方法”的专利。申请公布号为CN122013320A，申请号为CN202610410657.8，申请公布日期为2026年5月12日，申请日期为2026年3月31日，发明人周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏，专利代理机构北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师邢伟，分类号C30B29/16、C30B11/00。

专利摘要显示，本申请公开了一种低杂质含量的氧化镓晶体及其生长方法，属于氧化镓晶体生长技术领域。该氧化镓晶体中总杂质密度≤150ppm；其中，总贵金属杂质密度≤100ppm；铝的杂质密度≤30ppm；锆的杂质密度≤30ppm；铁的杂质密度≤1ppm。本申请中的氧化镓晶体杂质含量低，能够有效提升氧化镓晶体的质量和均匀性。