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【外延论文】β 和 ε-Ga₂O₃ 的角分辨和温度依赖拉曼光谱
日期:2026-05-18阅读:2
由中山大学的研究团队在学术期刊 The Journal of Physical Chemistry C 发布了一篇名为Angular-Resolved and Temperature-Dependent Raman Spectroscopy of β and ε-Ga₂O₃(β 和 ε-Ga₂O₃ 的角分辨和温度依赖拉曼光谱)的文章。
摘要
β 相和 ε 相氧化镓(Ga₂O₃)是宽带隙半导体,在电力电子学和深紫外光电子学领域具有广阔的应用前景。在本研究中,通过系统性的拉曼光谱研究,包括常规拉曼光谱、角分辨偏振拉曼光谱以及温度依赖性拉曼测量,阐明了 β 相和 ε 相 Ga₂O₃ 的声子特性及晶格振动行为。针对 β-Ga₂O₃,在 (100)、(001) 和 (-201) 晶面进行的角分辨偏振拉曼测量揭示了其拉曼模在对称性、强度分布和角周期性方面的显著差异。这表明拉曼强度的角依赖性可作为晶面鉴定的有效光谱方法。对于 ε-Ga₂O₃ 薄膜,其拉曼模表现出较弱的角依赖性,且温度诱导的频率偏移平缓,未见结构相变迹象,这反映出其晶格稳定性极佳。这些发现为 Ga₂O₃ 多形体的晶格动力学提供了宝贵的见解,并为基于 Ga₂O₃ 的材料和器件的结构表征及相识别建立了坚实的实验基础。
原文链接:
https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6c00780

