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【会员新闻】镓仁牵头发起两项氧化镓国标|全国半导体材料标准项目论证会在杭顺利召开

日期:2026-05-12阅读:75

        4月27日-30日,全国半导体材料标准项目论证会暨标准制修订工作会议在杭州圆满举行。本次会议由全国半导体材料标准化分技术委员会、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所联合主办,聚焦半导体材料标准体系建设,汇聚行业权威力量共商产业高质量发展路径。杭州镓仁半导体有限公司(下称“镓仁半导体”)牵头《氧化镓单晶》《氧化镓单晶位错密度测试方法》2项国家标准项目申报总计参与6项国家标准项目的申报工作,以硬核实力确立国内氧化镓标准建设核心引领地位。

 

全球唯一|镓仁半导体技术实力领跑

        作为第四代半导体氧化镓领域的核心龙头企业,镓仁半导体依托自有产线自主研发,手握全球首个、也是全球唯一的8英寸氧化镓衬底及8英寸氧化镓同质外延片核心技术,彻底打破技术垄断,彰显中国企业在超宽禁带半导体氧化镓领域的绝对竞争力。

        凭借自主可控的产线技术与持续创新能力,镓仁半导体在氧化镓材料制备领域实现跨越式突破,公司8英寸氧化镓衬底、8英寸氧化镓同质外延片经权威机构检测性能优异,均居于国际领先水平。公司自主研发的“SCIENCE”系列氧化镓专用VB法长晶设备不仅为行业规模化发展提供解决方案,更以技术优势引领全球氧化镓产业发展方向,成为全球氧化镓技术创新的标杆企业。

 

标准先行|筑牢行业发展根基

        深耕氧化镓标准化建设,镓仁半导体持续引领行业标准升级。本次会议上,公司牵头2项氧化镓国家标准项目申报,总共参与6项国家标准项目制定,覆盖单晶制备、缺陷检测等产业关键环节,进一步巩固了在行业标准体系建设中的核心地位。

        此前,公司牵头制定的《β相氧化镓同质外延片》(T/CEMIA 050-2025)《氧化镓单晶位错密度测试方法》(T/CEMIA 051-2025)两项氧化镓团体标准已正式实施,填补国内相关领域标准空白。此次公司牵头国标申报,将推动我国氧化镓标准从行业规范升级为国家准则,助力我国掌握全球氧化镓领域标准话语权,为产业规范化、规模化发展筑牢根基。

 

锚定国策|加速氧化镓产业化落地

        紧扣国家“十五五”规划中“推动氧化镓产业化发展”的战略部署,镓仁半导体以技术创新、标准引领双轮驱动,依托自有产线优势,全力推进氧化镓产业规模化、产业化建设,助力我国抢占第四代半导体产业制高点。

        未来,镓仁半导体将继续坚守技术创新初心,深耕氧化镓核心技术研发与产线升级,加快6/8英寸外延片的器件验证与量产线导入,加速产业化落地步伐,以全球领先的技术实力,巩固行业龙头地位,助力我国第四代半导体产业自主可控与高质量发展。

 

关于镓仁

        杭州镓仁半导体有限公司是全球领先的氧化镓材料与设备解决方案提供商,专注于超宽禁带半导体领域的技术研发与产业化落地。公司核心产品包括:2-8英寸氧化镓单晶与衬底(其中8英寸为国际首发)、氧化镓垂直布里奇曼法(VB法)长晶设备、氧化镓外延片等,致力于构建 “设备-晶体-衬底-外延” 全链条产品体系,为全球客户提供系统性解决方案。公司在氧化镓领域的相关成果获得人民日报、新华社、科技日报、新浪财经、中国蓝新闻、澎湃新闻等知名媒体专题报道

        企业荣誉汇总:2023年获评国家级科技型中小企业、浙江省创新型中小企业;2024年获评浙江省专精特新中小企业;2025年获批高新技术企业;2025年获SEMICON  CHINA  “SEMI可持续发展杰出贡献奖”、九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会“聚力同行奖”、浙江省半导体行业“创新活力奖”、第十届“创客中国”浙江省总决赛企业组二等奖、第十届“创客中国”中小企业创新创业大赛全国企业组  500 强、“2024-2025年度半导体材料行业贡献奖”;“8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破”成果入选“2025 年度中国第三代半导体技术十大进展”及浙江省科技厅“2025年度重大科技成果”;在氧化镓领域牵头了2项团体标准草案的制定、参与起草了1项国家标准制定、参与推动了1项团体标准草案的制定;获得浙江省杭州市萧山区“5213”卓越类计划支持,获批建立浙江省企业研究院;取得了质量管理体系认证证书;获得国际国内专利授权20余项(含美、日等多国专利),申请中专利50余项。

 

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