【器件论文】本征点缺陷对 β-Ga₂O₃（100）/NiO（100） 异质结界面光电性质的影响

        由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊《原子与分子物理学报》发布了一篇名为《本征点缺陷对β-Ga₂O₃（100）/NiO（100）异质结界面光电性质的影响》的文章。

摘要

        采用第一性原理计算，系统地研究了氧空位（V_O）与镍空位(Vɴᵢ)两种点缺陷对β-Ga₂O₃/NiO异质结界面光电特性的影响。Bader电荷分析表明，V_O和V_Ni导致异质结界面处电荷转移量增加，但二者均在带隙中引入深能级缺陷，这些深能级缺陷作为载流子俘获中心，致使载流子局域化,显著抑制了其输运能力。光学性质进一步分析,点缺陷拓宽了异质结的光响应范围，使其吸收边延伸至可见光区域。异质结本身可有效拓宽β-Ga₂O₃的紫外吸收范围，而点缺陷虽将光响应扩展至可见光区，但这种扩展是以牺牲日盲紫外波段的选择性为代价的。

知网链接：

https://kns.cnki.net/kcms2/article/abstract?v=A2Z-m-A1gcnFIUSBargUZYOM0NBAm1FWibUML5BkY8QUkyXdlyt6yrGAiO8k1YideD1g-NbjUOrSNuDuoYT1bpyszi4o9HVJXgo20a7KZNz9cLUsVRDyktwKM4K7Sr-p96DdO9GbzojPmvZqQ-ct_UbhS3IJJrszdQ-12rAOgNt-XK6Q1rs4GA==&uniplatform=NZKPT&language=CHS