【器件论文】基于超薄非晶Ga₂O₃垂直SBD的桥式整流器及其混合降压系统

        由西安邮电大学的研究团队在学术期刊 Journal of Semiconductors 发布了一篇名为Ultrathin amorphous-Ga₂O₃ vertical SBD-based bridge rectifier and its hybrid buck system（基于超薄非晶Ga₂O₃垂直SBD的桥式整流器及其混合降压系统）的文章。

摘要

        本文展示了一种基于单片集成200 nm超薄非晶Ga₂O₃垂直二极管（SBD）的桥式整流器及其与Si-MOSFET组成的混合降压转换系统。所制备的垂直Ga₂O₃ SBD表现出优异的特性，其击穿电场强度高达1.35 MV/cm。该桥式整流电路在50 kHz的高频下仍能保持稳定工作。由Ga₂O₃桥式整流器与Si-MOSFET组成的混合降压系统，在Si-MOSFET开关频率为20 kHz、输入电压V_in为50 Hz的条件下，实现了可调的降压输出。本研究验证了Ga₂O₃整流器在高频转换系统中的实际应用价值。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1674-4926/25100008