【其他论文】基于 Monte Carlo 法的 Ga₂O₃ alpha 辐射损伤研究

        由池州学院的研究团队在学术期刊 Physica Scripta 发布了一篇名为Research of alpha radiation damage in Ga₂O₃ based on Monte Carlo method（基于 Monte Carlo 法的 Ga₂O₃ alpha 辐射损伤研究）的文章。

摘要

        在本研究中，利用基于 Monte Carlo 法的 SRIM-2013 软件，系统地研究了 α 粒子在 Ga₂O₃ 中引起的辐射损伤。结果表明，α 粒子被电子和原子核所阻挡，其最大阻挡功率分别为 545.47 eV/nm 和 17.99 eV/nm。电离损耗主要局限于表面附近，而声子相关的能量耗散则发生在材料更深处。当入射能量为 10 keV 时，电离占总能量损耗的 69.45 %，而沉积到声子激发和空位形成中的能量分别占 1.58 % 和 28.97 %。Α 粒子在 Ga₂O₃ 中的空间分布呈现泪滴状形态，并随辐射能量的增加演变为蝌蚪状。经计算，每原子最大位移（DPA）、V_Ga 和 V_O 浓度分别为 0.07852、3.65 × 10²¹ cm⁻³ 和 3.77 × 10²¹ cm⁻³。这些结果表明，α 粒子会在 Ga₂O₃ 中引起显著的晶格损伤，这可能严重降低材料质量和器件性能。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1402-4896/ae59cd