【器件论文】利用电流瞬态法表征氧化镓肖特基势垒二极管中的载流子陷阱

        由北京工业大学的研究团队在学术期刊 IEEE Transactions on Electron Devices 发布了一篇名为Characterizing Carrier Traps in Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes Using the Current Transient Method（ 利用电流瞬态法表征氧化镓肖特基势垒二极管中的载流子陷阱）的文章。

摘要

        界面与内部陷阱是限制 Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管（SBDs）性能与可靠性的主要因素。该团队采用电流瞬态法对 Ga₂O₃ SBDs 的陷阱特性进行了研究，阐明了载流子的俘获与退俘获过程。在正向与负向电压应力下，不同陷阱可从多种来源俘获电子。测试结果表明，Ga₂O₃ 器件中存在 5 种不同类型的电子陷阱，每种陷阱对应不同的时间常数、激活能与位置。这些陷阱的激活能分别为 0.089 eV、0.2 eV、0.81 eV 与 0.95 eV。此外，还存在一种与温度无关的电子陷阱，其行为可能与直接隧穿过程相关。因此，该方法可应用于 Ga₂O₃ 的可靠性研究，实现 Ga₂O₃ SBD 陷阱的无损表征。

DOI：

10.1109/TED.2026.3655637