【外延论文】用于光子学应用的超宽带隙半导体：外延 Ga₂O₃、hBN 与 ScAlN 的最新进展

        由美国莱斯大学的研究团队在学术期刊 Optical Materials Express 发布了一篇名为 Ultrawide bandgap semiconductors for photonic applications: recent advances in epitaxial Ga₂O₃, hBN, and ScAlN（用于光子学应用的超宽带隙半导体：外延 Ga₂O₃、hBN 与 ScAlN 的最新进展）的文章。

摘要

        本综述总结了三种典型超宽带隙（UWBG）材料——氧化镓（Ga₂O₃）、六方氮化硼（hBN）和铝钪氮化物（ScAlN）——在外延生长、光学特性及光子学应用方面的最新进展。Ga₂O₃ 在日盲紫外（UV）探测方面展现出巨大潜力。然而，其本征带隙约为 4.9 eV，对应的截止波长接近 250 nm，短于理想的 280 nm 太阳盲阈值，这会导致不必要的能量损失。通过带隙工程（如开发 InGaO 合金）实现性能优化，将是提升 Ga₂O₃ 在日盲 UV 光探测器中表现的关键。

原文链接：

https://doi.org/10.1364/OME.569135