【外延论文】SiO₂ 和后退火 Ga₂O₃ 缓冲层对 Ga₂O₃ 薄膜生长及性质的影响

        由乌兹别克斯坦国立大学的研究团队在学术期刊 Crystal Growth & Design 发布了一篇名为Effect of SiO₂ and Post-Annealed Ga₂O₃ Buffer Layers on Ga₂O₃ Thin Film Growth and Properties（SiO₂ 和后退火 Ga₂O₃ 缓冲层对 Ga₂O₃ 薄膜生长及性质的影响）的文章。

摘要

        本研究探讨了 SiO₂ 和 β-Ga₂O₃ 缓冲层 对采用溶胶–凝胶旋涂法在 n 型 Si (100) 衬底上沉积的 β-Ga₂O₃ 薄膜的合成及性能的影响。研究通过 X 射线衍射、扫描电子显微镜和紫外–可见光谱对其结构、形貌和光学特性进行了表征。结果表明，相比于 SiO₂/Si 和 Si 衬底，采用 β-Ga₂O₃ 缓冲层的薄膜表现出显著增强的结晶性、更低的晶格应变和缺陷密度。形貌分析显示晶粒界面清晰且高度并合，而光学测试表明其带隙得到了改善，反映出更优异的薄膜质量。这些结果凸显了 β-Ga₂O₃ 缓冲层在缓解晶格失配方面的有效性，并为高质量 β-Ga₂O₃ 薄膜在高功率电子器件与紫外光电应用中的开发提供了新的思路。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.cgd.5c01075