【国内论文】深圳大学宽禁带半导体功率器件刘新科研究员团队：高温O₂退火对Al₂O₃/Ga₂O₃界面质量的影响

        传统的β-Ga₂O₃表面预处理方法，如Piranha、BOE、HF等湿法化学处理或 O₂、CF₄、N₂ 等离子体处理，工艺流程复杂、成本较高，且改善效果有限，甚至可能对 β-Ga₂O₃ 表面造成损伤。因此，开发一种高效且低成本的表面钝化技术，已成为该领域的迫切需求。

        本研究采用了一种工艺简单、生产成本较低的热处理技术对 β-Ga₂O₃ 表面进行预处理。该技术通过在高纯氧气氛围中，采用1300K高温短时间的退火工艺，在Ga₂O₃晶体表面引入氧原子填补Ga₂O₃晶体表面的氧空位，对Ga₂O₃表面进行钝化。制备出的Al₂O₃/Ga₂O₃ MOSCAP表现出低界面陷阱密度（Dit）约为1.6×10¹¹ cm^-2 eV^-1。表现出低频依赖的平带电压偏移（ΔV_FB( f )）约为40 mV（从1 kHz到1 MHz）。

        刘新科，深圳大学功率半导体器件及AI能源监测工程技术研究所所长，材料学院、射频异质异构集成全国重点实验室研究员，英国物理学会会士(FInstP,2025)，英国皇家化学会士(FRSC,2024)，博士研究生导师。一直从事宽禁带半导体氮化镓材料与器件的研究工作，以第一作者/通讯作者在国际学术期刊Materials Today、Advanced Materials、IEEE EDL/TED等发表121篇SCI论文,在IEDM、ISPSD、IEEE EDL/TED、APL、JAP国际知名学术期刊/顶级会议发表文章共计28篇。主持国家科技部重点研发计划项目、国家自然科学基金(青年和面上)、广东省自然科学基金杰出青年项目等重要科研项目。作为第一完成人或个人，   2021年度广东省高校科技成果转化总决赛铜奖、2022年广东省科技进步二等奖、2022年中国电子学会科技进步二等奖、2022年广东省电子学会科技进步二等奖、2023年深圳市青年科技奖。