【外延论文】精细调节功率与氧通量比对溅射非晶氧化镓薄膜光电性能的影响

        由河北大学的研究团队在学术期刊 ECS Journal of Solid State Science and Technology 发布了一篇名为 Influence of Finely Tuning Power and Oxygen Flux Ratio on Optoelectronic Properties of Sputtered Amorphous Gallium Oxide Thin Films（精细调节功率与氧通量比对溅射非晶氧化镓薄膜光电性能的影响）的文章。

摘要

        采用射频磁控溅射技术在石英基板上制备了用于太阳能光探测器的非晶态氧化镓（a-GaO_x）薄膜。系统研究了溅射功率与氧气流量比对 a-GaO_x 薄膜及光探测器光学和电学性能的影响。光学带隙、带尾态及功函数受氧空位与结构无序的综合影响。降低溅射功率和提高氧气流量比可减少材料中的氧缺陷。结构有序度随氧气流量比降低呈单调增长，随溅射功率增加则先增后减。光电特性对沉积参数敏感。基于 210 W 功率与 0.4% 氧气流量比沉积的 a-GaO_x 光探测器，因其缺陷密度适中且接触势垒高度合理，展现出最高光电流与最低暗电流特性。尽管光电流仅低于 100 μA，暗电流却低至数十皮安量级，从而实现约 106 的最大光暗电流比（PDCR）。

原文链接：

https://doi.org/10.1149/2162-8777/adfee8