【会员新闻】深圳平湖实验室受邀参加第六届全国宽禁带半导体学术会议并作科研进展报告

查显弧博士报告

        查显弧博士的报告《金属固溶对β相氧化镓能带结构调控及固溶体p型导电研究》，介绍了单一固溶浓度下，49种不同金属固溶对β相氧化镓的能带结构调控规律。并对不同固溶浓度下β相铑镓氧固溶体的能带结构、可能的p型掺杂方案以及空穴迁移率做了细致分析，表明β相铑镓氧固溶体是有望实现p型导电的金属氧化物宽禁带半导体。该研究有望促成β相氧化镓器件在电力交通、智能电网等领域的广泛使用。此外，该报告还指出结合SCAN泛函和HSE06杂化泛函是第一性原理计算宽禁带固溶体的有效方案。

张荣军博士报告

        张荣军博士的报告《氮化铝功率器件研究进展》，介绍了氮化铝SBD和HEMT器件的最新研究，制备的SBD器件均展现出> 3 kV的反向击穿电压，比导通电阻分别为62.5 Ω·cm²和27.7 Ω·cm²。制备的HEMT器件LGD为5 µm和25 µm时击穿电压分别为990 V和2045 V， LGD为50 µm时，击穿电压> 3 kV。该报告同时指出氮化铝材料当前在材料生长、衬底、外延以及器件制备上都存在一定的挑战，但凭借优异的材料性能氮化铝功率器件未来在智能电网、高速机车和极端环境下，展现出十分重要的应用前景。

        深圳平湖实验室在会上分享的氧化镓和氮化铝的近期研究进展，不仅让国内同行专家直观了解到实验室深耕前沿理论探索与平台科研实力的相辅相成，也进一步提升了深圳平湖实验室在学界的影响力。