【器件论文】欧姆接触向肖特基接触的转换对缓解 Ni/MgO-Ga₂O₃ 界面处存在的氧缺陷的影响

        由印度理工学院的研究团队在学术期刊 Journal of Physics D: Applied Physics 发布了一篇名为 Ohmic contact to Schottky conversion on mitigating the oxygen defects present at the Ni/MgO-Ga₂O₃ interface（欧姆接触向肖特基接触的转换对缓解 Ni/MgO-Ga₂O₃ 界面处存在的氧缺陷的影响）的文章。

摘要

        氧化镓（Ga₂O₃）凭借其在击穿前能够承受比传统半导体更高的电场的能力，在下一代功率器件领域具有巨大潜力。然而，基于 Ga₂O₃ 的功率器件的性能及其关键指标，受到金属-Ga₂O₃ 接触质量和界面缺陷的显著影响。本文报道了氧空位对 Ni/MgO-Ga₂O₃ 金属-氧化物-半导体界面电子特性的影响。对 Ga₂O₃ 与具有可变氧空位薄 MgO 层的界面进行了研究，用于肖特基势垒二极管（SBDs）。在 MgO 生长过程中氧气流量为 0% 的 Ni/MgO-Ga₂O₃ 堆叠结构表现出较高的泄漏（欧姆）特性，这是由于 Ni/MgO-Ga₂O₃ 界面存在氧缺陷所致。然而，在 MgO 生长过程中氧气流量为 66% 的 Ni/MgO-Ga₂O₃ SBD 则表现出整流行为，这是由于氧空位得到补偿所致。通过 X 射线光电子能谱、频率依赖的电容-电压和导电率-电压特性分析，阐明了接触从欧姆行为向肖特基行为转变的机制。本研究为理解和控制界面缺陷奠定了基础，这对推动下一代电力电子技术的发展至关重要。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6463/adf233