【器件论文】原子层沉积双栅极氧化铟镓锌晶体管的性能提升

        由北京大学和华中科技大学的研究团队在学术会议 EDTM 2025 发表了一篇名为 Boosted Performance of Atomic-Layer-Deposited Dual-Gate Indium-Gallium-Zinc-Oxide Transistors（原子层沉积双栅极氧化铟镓锌晶体管的性能提升）的文章。

摘要

        在本研究中，对 ALD IGZO 晶体管采用了富氧表面钝化工艺，有效降低了沟道内的氧空位密度，同时保持了相对较低的接触电阻。具有改进的静电控制能力的双栅极晶体管与背栅极晶体管相比，性能显著提升，在 V_ds = 1 V时，50 nm 短沟道器件实现了创纪录的 Ion 值为 2.24 mA/μm 和 gm 值超过 1 mS/μm，这是 IGZO 晶体管中最高的值。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/EDTM61175.2025.11040472