【衬底论文】评估冷容器法（OCCC）在 β-Ga₂O₃ 晶体生长中的挑战性

        由日本东北大学的研究团队在 PCIM Conference 2025 会议发表了一篇名为Size Up Challenge of beta-Ga₂O₃ Crystal Growth with Cold Container Called OCCC Method（评估冷容器法（OCCC）在 β-Ga₂O₃ 晶体生长中的挑战性）的文章。

摘要

        β-Ga₂O₃ 的巴利加优值远高于 SiC，使其成为极具潜力的功率半导体材料。然而，高成本和缺陷密度（主要归因于使用昂贵的贵金属坩埚）限制了其发展。报道了采用氧化物冷坩埚晶体生长法（OCCC）实现大尺寸块体晶体生长，该方法消除了对金属坩埚的需求。在常压空气气氛下，采用 100-150 mm 的篮子尺寸成功实现了生长。尽管该方法部分为多晶生长，但仍制备出直径约 70 mm 的大型晶体，展现了实现大尺寸单晶生长的潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.30420/566541134