【器件论文】用于增强击穿电压的 RESURF Ga₂O₃-on-SiC 场效应晶体管

        由南方科技大学的研究团队在学术期刊 IEEE Journal of the Electron Devices Society 发布了一篇名为 RESURF Ga₂O₃-on-SiC Field Effect Transistors for Enhanced Breakdown Voltage（用于增强击穿电压的 RESURF Ga₂O₃-on-SiC 场效应晶体管）的文章。

摘要

        异质衬底作为改善 Ga₂O₃ 器件散热性能的方法已得到广泛研究。在本模拟工作中，提出了一种新型 p 型异质衬底的作用，将其作为 Ga₂O₃ 横向场效应晶体管（FET）中减小表面电场（RESURF）结构的组成部分。RESURF 结构可消除电场拥挤并有助于提高击穿电压。以 SiC 为例，通过 TCAD 建模系统性研究了 p 型区域掺杂浓度和尺寸的设计策略。同时，模拟中模拟了实际器件中可能存在的界面电荷和 Al₂O₃ 中间层。此外，通过对 p-SiC 耗尽区充电/放电时间的模拟，验证了 RESURF 结构在高频开关操作中的可行性。本研究表明，利用散热异质衬底的电学特性，可在 Ga₂O₃ FET 中实现均匀的电场分布，具有巨大潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/JEDS.2025.3584977