【器件论文】通过等离子体处理实现 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结二极管的自对准氮掺杂

        由韩国科学技术院的研究团队在学术期刊 Solid-State Electronics 发布了一篇名为 Self-aligned nitrogen doping via plasma treatment of NiO/β-Ga₂O₃ heterojunction diodes（通过等离子体处理实现 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结二极管的自对准氮掺杂）的文章。

摘要

        本研究展示了一种通过自对准氮 (SA-N₂) 等离子体处理 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结二极管的新型掺杂工艺。经 SA-N₂ 等离子体处理的异质结二极管的击穿电压从 1080 V 提高到 1731 V，同时保持了超过 10¹¹ 的高开关比 ( I_ON /I_OFF )并实现了降低的特定导通电阻 ( R_on.sp )。研究发现，SA-N₂ 等离子体处理在阳极周围的 β-Ga₂O₃ 中形成了一个充当浅沟槽保护环的高阻区。还证实了掺杂的 N 在 NiO 和 β-Ga₂O₃ 中分别扮演浅受体和深受体的角色。该工艺可以轻松且经济高效地应用于异质结结构，有助于进一步提高宽带隙功率器件的性能。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.sse.2025.109182