【外延论文】等离子体增强原子层沉积法在非晶态氧化镓薄膜中的硅掺杂技术及其在介电和光电子学中的应用

        由复旦大学的研究团队在学术会议 EDTM 2025 发布了一篇名为Silicon Doping in Amorphous Gallium Oxide Films by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition for Dielectric and Optoelectronic Applications（等离子体增强原子层沉积法在非晶态氧化镓薄膜中的硅掺杂技术及其在介电和光电子学中的应用）的文章。

摘要

        氧化镓作为第四代半导体的代表材料。氧化镓的硅掺杂在优化性能方面发挥着关键作用，而PEALD（物理气相沉积）作为一种可行的沉积技术，因其高覆盖率和精确的成分控制优势而备受关注。本研究首先通过 PEALD 技术沉积了不同组成的非晶硅掺杂氧化镓薄膜，并进行了系统表征。随后，结合亚周期比和硅浓度分析，对薄膜的电学和光学性能进行了表征，为非晶硅-氧化镓薄膜在介电和光电子应用中的应用奠定了基础。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/EDTM61175.2025.11040681