【外延论文】后退火 Ga₂O₃ 薄膜在不同氧分压下沉积的结晶度和光学性质

        由韩国岭南大学的研究团队在学术期刊 Journal of the Korean Physical Society 发布了一篇名为 Crystallinity and optical properties of post-annealed Ga₂O₃ thin films deposited under varying oxygen partial pressures（后退火 Ga₂O₃ 薄膜在不同氧分压下沉积的结晶度和光学性质）的文章。

摘要

        通过射频磁控溅射在 c 面蓝宝石衬底上沉积了非晶态 Ga₂O₃ 薄膜，并在不同氧分压条件下通过在氧气气氛中于 1000 °C 进行后退火处理，使薄膜结晶为单斜 β 相。原子力显微镜观察发现，在低氧条件下生长的薄膜表面存在裂纹，而高氧分压下沉积的薄膜则呈现光滑无裂纹的表面。拉曼光谱显示，随着氧分压增加，Ga–O 振动模式在 200 和 415 cm^-1 附近的强度呈渐进式增强，表明结构有序性增强。光学透射率测量揭示了带隙能量从 4.8 eV 到 4.95 eV 的非线性变化，这可能归因于缺陷浓度和化学计量比的差异。折射率保持在约 1.76 的恒定值，暗示薄膜密度较低或结构不均匀。这些结果表明，在不同氧分压下制备的 β-Ga₂O₃ 薄膜，即使经过后退火处理，仍可能在微观结构和光学性质上存在差异。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s40042-025-01423-5