【外延论文】氧等离子体辅助脉冲激光沉积铽掺杂薄膜

        由日本佐贺大学的研究团队在学术期刊 Journal of Crystal Growth 发布了一篇名为 Oxygen plasma-assisted pulsed laser deposition of terbium doped Ga₂O₃ films（氧等离子体辅助脉冲激光沉积铽掺杂 Ga₂O₃ 薄膜）的文章。

摘要

        本研究采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积（PLD）技术制备了铽（Tb）掺杂的 Ga₂O₃ 薄膜。系统研究了衬底温度（100 ℃ 至 500 ℃）对薄膜结构和光学性质的影响。X射线衍射分析表明，与传统无等离子体辅助的 PLD 生长方法相比，氧等离子体的使用显著提升了（-201）取向 Ga₂O₃ 薄膜的晶体质量。值得注意的是，氧等离子体的引入使 Tb 掺杂的 Ga₂O₃ 薄膜可在较低衬底温度（300℃）下形成晶体结构，同时确保了更稳定的生长速率，并提升了光学和发光性能。这些结果凸显了等离子体辅助 PLD 作为制备低温高品质 Ga₂O₃ 薄膜的可行方法的潜力，为与传统硅基集成电路兼容的先进电子和光电子器件的开发铺平了道路。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2025.128290