【器件论文】2D铋/Ga₂O₃ 范德华异质结构用于高灵敏度和高探测率的紫外光探测器

        由北京邮电大学的研究团队在学术期刊 Chinese Optics Letters 发布了一篇名为 2D bismuth/Ga₂O₃ van der Waals heterostructure for ultraviolet photodetectors with high responsivity and detectivity（2D铋/Ga₂O₃ 范德华异质结构用于高灵敏度和高探测率的紫外光探测器）的文章。

摘要

        氧化镓 (Ga₂O₃)是一种很有希望的紫外光电探测器材料，但由于难以实现 p 型掺杂，其光电性能受到很大限制。针对这一难题，本研究利用脉冲激光沉积技术在 Ga₂O₃ 上沉积二维 Bi 薄膜，设计了一种 I 型异质结光电探测器 (PD)。在 0.1 µW/cm² 的光照强度下，该 PD 表现出高达 200 mA/W 的出色响应度和 8.58 × 10¹¹Jones 的探测率，展示了其出色的弱光探测能力。此外，由于异质结的内建电场，该器件可以有效抑制暗电流并具有自供电探测性能。

原文链接：

https://opg.optica.org/col/abstract.cfm?URI=col-23-7-071601