【其他论文】多晶 β-Ga₂O₃:Mn 和 β-Ga₂O₃:Mn,Si 的发光特性及热刺激导电性

        由乌克兰利沃夫国立伊万弗兰科大学的研究团队在学术期刊Journal of Vacuum Science & Technology A 发布了一篇名为 Luminescence and thermally stimulated conductivity of polycrystalline β-Ga₂O₃: Mn and β-Ga₂O₃: Mn, Si（多晶 β-Ga₂O₃:Mn 和 β-Ga₂O₃:Mn,Si 的发光特性及热刺激导电性）的文章。

摘要

        通过高温固相化学反应合成了无意掺杂（UID）、锰掺杂和锰硅共掺杂的 β-Ga₂O₃ 多晶样品。UID β-Ga₂O₃ 在 350 - 550 nm 波长范围内具有强烈的本征发光。在锰掺杂的 β-Ga₂O₃ 样品中，紫外、蓝光和绿光光谱区域的发光带强度大幅下降，约减少了 1000 倍。与掺杂样品中本征发光的减弱相对应，在黄色 - 橙色范围内检测到了一个较弱的发光带，其最大值约为 605 nm。研究发现，掺锰会提高电阻率和暗导电活化能。UID 样品的暗导电活化能约为 1 eV，掺入锰离子后增加到 1.4 eV。在 300 - 450 K 范围内观察到了 UID 氧化镓样品的热刺激导电（TSC）峰（E1 - E3）。掺锰显著改变了 TSC 曲线的形状，降低了 325 和 350 K 处的 TSC 峰强度，并使 385 K 处的峰完全消失。掺入锰杂质可制得高电阻的氧化镓，有望在能源和光电子学的多种应用中大放异彩。

原文链接：

https://doi.org/10.1116/6.0004570