【外延论文】射频磁控溅射法制造的 β-Ga₂O₃/金刚石（111）异质外延结构的热退火效应

        由日本九州大学的研究团队在学术期刊 Materials Letters 发布了一篇名为 Thermal annealing effects on β-Ga₂O₃/diamond (111) heteroepitaxial structures fabricated by radio frequency magnetron sputtering（射频磁控溅射法制造的 β-Ga₂O₃/金刚石（111）异质外延结构的热退火效应）的文章。

摘要

        通过射频磁控溅射在金刚石（111）上实现了 β-Ga₂O₃ 的异质外延集成。X 射线衍射分析证实，β-Ga₂O₃ 外延层在平面内具有高度的堆叠，其 {-201} 面与金刚石{111}面平行。极图立体投影有效地表明了 β-Ga₂O₃ 薄膜中（101）织构的缺失。该异质结在 900°C 下热退火 40 分钟时仍保持机械完整性、结晶度和异质外延特性。然而，在 1000°C 下退火会导致结构退化，这归因于 C-O 界面处的热石墨化。值得注意的是，退火后在 900°C 下处理可使 β-Ga₂O₃ 外延层中的氧空位密度从 24.15% 显著降低至 15.07%。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.matlet.2025.138753