【器件论文】关于对利用电流阻断层技术的垂直 Ga₂O₃ 功率 MOSFET的展望

        由美国北卡罗来纳大学夏洛特分校的研究团队在学术期刊 JPhys Materials 发布了一篇名为 Perspective on vertical Ga₂O₃ power MOSFETs utilizing current blocking layer technology（关于对利用电流阻断层技术的垂直 Ga₂O₃ 功率 MOSFET的展望）的文章。

摘要

        过去十年间，由于 β-氧化镓（β-Ga₂O₃）出色的材料特性，功率器件的研究活动显著增加。其超宽禁带宽度达 4.8 eV，导致击穿场强高达 8 MV cm⁻¹，再加上成熟的熔体生长衬底技术，β-Ga₂O₃ 为显著推进功率器件技术提供了绝佳机会。然而，高度局域化的空穴以及较大的受主激活能级使得在 Ga₂O₃ 中实现有效的 p 型掺杂极具挑战性。这严重阻碍了在 β-Ga₂O₃ 中实现传统 n-p-n 型垂直功率晶体管。为解决这一问题，已提出了多种策略并进行了演示。在此视角下，研究团队将重点关注一种新兴的解决方案：使用电流阻挡层（CBL）来模拟缺失的 p 型层，从而实现性能相当的垂直晶体管。审视在垂直 β-Ga₂O₃ MOSFET 中不同 CBL 设计所取得的进展。最后，展望了采用镁扩散 CBL 的 Ga₂O₃ 垂直扩散势垒场效应晶体管（VDBFET）的未来前景。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/2515-7639/add774