【外延论文】c平面蓝宝石上脉冲激光沉积 Ga₂O₃ 的宏观尺度相纯度和外延性

        由印度理工学院的研究团队在学术期刊 Thin Solid Films 发布了一篇名为Macro-scale phase purity and epitaxiality of pulse-laser-deposited Ga₂O₃ on c-plane sapphire（c平面蓝宝石上脉冲激光沉积 Ga₂O₃ 的宏观尺度相纯度和外延性）的文章。

摘要

        该研究通过系统性实验，利用高分辨 X 射线衍射技术，分析了采用脉冲激光沉积（PLD）法在 c 面蓝宝石衬底上生长的 Ga₂O₃ 薄膜的相纯度与外延质量。实验结果表明：尽管氧化镓薄膜主要以单斜 β 相的（-201）取向为主生长，但在靠近薄膜-衬底界面的区域，可能存在少量六方 α 相的体积分数。这一观察结果与以往部分研究形成对比——此前的研究表明，β 相是在恰好三层 α 相单层的基础上稳定生长的。然而，在该研究的所有样品中（无论薄膜厚度如何），未观察到其他多晶型相的存在。在 X 射线衍射所探测的宏观尺度上，β-Ga₂O₃ 薄膜的相纯度与外延质量是决定其作为超宽禁带半导体在高性能光电子与微电子器件中应用潜力的关键因素。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2025.140673