【外延论文】溅射沉积 Ga₂O₃ 薄膜在沉积后热处理过程中的结构和光致发光特性变化

        由匈牙利 HUN-REN 能源研究中心的研究团队在学术期刊 Journal of Alloys and Compounds 发布了一篇名为 Evolution of structural and photoluminescent properties of sputter-deposited Ga₂O₃ thin films during post-deposition heat treatment（溅射沉积 Ga₂O₃ 薄膜在沉积后热处理过程中的结构和光致发光特性变化）的文章。

摘要

        对通过射频溅射制备的退火后无定形 Ga₂O₃ 薄膜进行了原位光谱椭圆偏振光谱和非原位结构研究。在空气中退火过程中对光学参数的变化进行了监测。原位椭圆偏振光谱被证明是确定 Ga₂O₃ 在环境条件下退火时相变温度的有价值的方法。X 射线衍射和透射电子显微镜显示，最初无定形的薄膜首先结晶为亚稳态的 γ-Ga₂O₃ 相，在更高温度下转变为 β-Ga₂O₃ 相。通过光学透射率测量确定了不同退火步骤下各层的光学带隙。对在不同温度和气氛下退火后的样品进行了光致发光实验。在 γ-Ga₂O₃ 相形成初期出现了一个宽的绿色发光带，而在转变为 β-Ga₂O₃ 相后，根据退火气氛的不同观察到蓝光或红光发射。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2025.179634