【会议新闻】联盟与您相约第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)

        2025年4月23-25日，第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)将在武汉光谷科技会展中心盛大启幕。本届展会以“激活未来”为主题，围绕化合物半导体前沿技术、产业趋势及未来应用展开深度探讨。

        接下来联盟将带您进一步了解化合物半导体产业博览会的展商分布以及联盟会员展商介绍。

※展商排序依照场馆分区顺序排列

        苏州镓和半导体有限公司是一家专注于氧化镓材料研发的高科技企业,始终将引领氧化镓技术创新与应用奉为使命。是国内为数不多的,具备氧化镓晶体生长、薄膜外延、相关器件及专用生产设备研发的全方位技术与能力的公司。

        公司创始人唐为华教授,在氧化镓材料领域深耕十余年,率先在国内布局并实现氧化镓产业化,并于2021年成立苏州镓和半导体有限公司。自成立以来,公司在氧化镓晶体生长方面取得了一系列创新性成果,成功实现了晶体大尺寸、高质量、多种晶面类型的突破,为行业发展注入了强劲动力。

        未来,公司将以技术创新为核心驱动力,持续探索氧化镓材料的更高潜能,推动科技与产业深度融合,致力于成为建设高效、绿色、智能化未来的关键力量。

        杭州镓仁半导体于2025年3月5日，发布全球首颗8英寸氧化镓单晶。镓仁半导体是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业，公司依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心，已建成以中国科学院院士为首席顾问，具备丰富行业经验的研发、生产、运营团队。公司开创了氧化镓单晶生长新技术，获得 14 项国际、国内发明专利，打破了西方国家在氧化镓衬底材料上的垄断和封锁。镓仁半导体立足于解决国家重大需求，将深耕于氧化镓上游产业链的持续创新，努力为我国的电力电子等产业的发展提供产品保障。

        镓仁半导体引领行业创新，采用自主研发的铸造法等单晶生长技术，实现6英寸氧化镓单晶衬底和晶圆级（010）单晶衬底的生产技术突破，并开发了首台包含工艺包的氧化镓专用VB长晶设备。公司已掌握氧化镓生长、加工、外延等全链条的核心技术，为客户提供拥有完全自主知识产权的大尺寸高质量氧化镓产品及设备。

        公司成立于2019年12月31日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技”企业，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单品衬底、MOCVD外延片、MBE外延片、氧化镓晶体生长及加工装备，产品主要服务于功率器件、微波射频及光电探测等领域。

        获得国际专利授权12项(美国6项，日本6项)，国内专利授权40项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权（“一键长晶”控制软件）3项。

        ·2/4/6英寸氧化镓晶圆

        ·氧化镓外延片（MBE）

        ·氧化镓外延片（MOCVD）

        ·氧化镓晶体生长炉

        ·氧化镓晶片研抛机

        茂图气体，始于2008年，专业从事混合气体、高纯气体、电子气体、同位素气体等气体产品的生产和销售，以及气体管路配套工程服务。

        茂图人追求忘却自我，心无杂念，持续专注的精神。带着这样的追求，茂图气体持续服务于半导体、LED、光纤、太阳能、石油化工、生物医药、军工高校、科研、电力、电子、船舶、煤矿、汽车、医疗、消防、航空航天、食品、建筑冶炼、精细化工、加工制造等行业。

        茂图气体目前在上海，江苏太仓、湖北鄂州、安徽全椒、浙江衢州设有生产及研发基地，服务于全国客户。也在香港、马来西亚、北美设立公司，专营气体进出口业务。

        茂图气体致力于成为优秀的气体服务商。以诚信、踏实、勤奋、责任的价值观为主导，以创造自我，追求无我为目标，致力于为员工提供发展平台，为客户创造服务价值，为气体行业奉献力量。

        公司成立于2021年，是一家注册在苏州、具备世界领先技术的非接触式半导体检测分析设备制造商。公司集研发、设计、制造、销售于一体，主要攻克国外垄断技术，替代进口产品，使半导体材料测试设备国产化。

        主要产品：非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪，方阻测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法高低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，涡流法电阻率探头和PN探头测试仪，迁移率（霍尔）测试仪，少子寿命测试仪，晶圆、硅片厚度测试仪，表面光电压仪JPV\SPV。为碳化硅、硅片、氮化镓、氧化镓、金属薄膜、玻璃、衬底和外延厂商提供测试和解决方案。

        凭借先进的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。

        主要应用领域：碳化硅测试、氮化镓测试、晶圆硅片测试、氧化镓测试、金属薄膜测试、玻璃测试、衬底和外延厂商、光伏电池片测试。

        费勉仪器科技（南京）有限公司成立于2017年，是一家专注于高端科研装备研发与制造的国家高新技术企业。公司以"独立、创新、坚持、正直"为核心价值观，坚持自主创新，在分子束外延（MBE）技术、超高真空解理镀膜技术和超高真空磁控溅射技术领域取得显著突破，成为国内少数能提供化合物半导体外延"一站式整体解决方案"的制造商。

        作为先进的MBE设备制造商，费勉仪器在超高真空技术、精密机械设计、外延工艺优化和智能控制系统等方面积累了丰富经验。核心产品包括大尺寸全自动分子束外延设备、超高真空解理钝化系统、超高真空全自动磁控生产线，满足从单片3inch工艺探索到多片4inch量产的不同需求。目前，费勉仪器的设备已经进入国内头部半导体企业、科研院所和高校，应用在GaN功率器件、锑化物二类超晶格、超宽禁带半导体Ga₂O₃材料、高功率激光器和氧化物压电材料领域，技术指标达到国外先进水平。

        费勉仪器将深耕化合物半导体装备领域，通过持续创新推动技术进步，为提升我国半导体装备自主化水平贡献"中国智造"的力量。公司致力于成为全球化合物半导体外延装备领域的重要参与者，与产业界和学术界携手推进半导体技术的创新发展。

        芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司于2020年在苏州工业园区创立，是一家面向世界，拥有高端人才和自主知识产权的先进半导体芯片制造设备公司，致力于建立世界领先的半导体产业关键设备和核心技术平台。团队核心管理和技术专家均拥有数十年多种高端半导体芯片制造设备研发和产业化的成功经验。

        公司目前聚焦SiC/GaN等第三代半导体外延设备的研发、制造、销售和服务，为国内外客户提供适合大规模量产和前瞻性科研的芯片制造设备和先进技术方案，未来将扩展多种半导体设备。

        芯三代是国内率先实现6吋和8吋垂直气流碳化硅外延设备批量销售的厂商，设备已进入十几家业内头部客户，并已进行长时间批量生产。

        设备拥有完全独立的自主知识产权，具有差异化的进气方式、垂直气流和温场控制技术，辅以全自动上下料（EFEM）系统和高温传盘等手段，实现了全球优异的低缺陷等综合技术指标和性能，在高产能、8/6吋兼容、CoO成本、长时间多炉数连续自动生长控制、  

        低缺陷率、维护便利性、可靠性等方面都具有明显的优势。

        苏州镓耀半导体科技有限公司是一家专业从事CVD及ALD装备制造的高科技企业，公司位于江苏省苏州市张家港市保税区科创园，占地1000多平方米。公司2022年成立至今已形成产品开发部，工艺开发部、产品设计部、装备制造部、品质部等核心部门，拥有20余人的专业团队，其中技术人员15人（80%以上为本科及本科以上学历）。

        目前公司主要产品有氧化镓MOCVD，氧化镓MistCVD，氮化镓MOCVD，Batch ALD设备，单片ALD设备，二维材料CVD等一系列薄膜沉积设备，产品主要用于β相-及e-相氧化镓外延生长，α氧化镓外延生长，各类氧化物、氮化物薄膜沉积、MoS₂等二维材料及氮化硼（BN）薄膜生长，为广大科研院校和企业用户提供全方位的薄膜生长解决方案。

        山东晶升电子科技有限公司是一家专注于半导体装备研发和生产的国家级高新技术企业。公司主要产品为第三代、第四代半导体高端装备以及各种晶体生长装备，广泛应用于集成电路功率器件、半导体材料、太阳能电池、LED芯片制造、新能源等多个领域。

        晶升电子注重技术创新，拥有多项自主知识产权，致力于为客户提供高质量的产品和解决方案。公司秉承“诚信、创新、合作、共赢”的经营理念，持续提升核心竞争力，推动行业技术进步。

        碳化硅产品：籽晶粘接设备，PVT晶体生长炉，液相法晶体生长炉，晶体退火炉，氢氧化钾腐蚀炉。

        氧化镓产品：VB法晶体炉，导模法晶体炉，HVPE卤化物气相外延炉（氧化镓），Mist CVD等。

        氮化镓产品：HVPE晶体生长炉，LPE氮化镓高压晶体生长炉。

        氮化铝产品：PVT晶体生长炉，LPE氮化铝高压晶体生长炉。

        晶体提拉炉，坩埚下降晶体生长炉，导模炉等。

        深圳市矢量科学仪器有限公司孵化于武汉大学团队，由众多海归及国内顶尖名校团队组成，致力于泛半导体实验线、中试线、生产线装备销售、工艺及厂务技术服务的国家级高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。已授权专利 32 项，软件著作权 14 项。

        ①光刻机、PVD/CVD镀膜机、刻蚀机、离子注入机、CMP、湿法设备、氧化退火、先进封装设备……

        ②量检测与失效分析设备

        ③芯片/器件光电测试仪表

        ④ EPC工程、厂务工程、二次配工程、厂务运维

        ⑤“矢量实验室”：8英寸实验线流片代工（8nm～μm）、芯片器件测试服务

        山东力冠微电子装备有限公司（简称：山东力冠），成立于2013年。经过十二年的发展，山东力冠已成为国内外一家集研发、生产、销售为一体的先进半导体装备制造与工艺技术服务商。

        公司产品涵盖第一代至第四代半导体材料工艺设备，均拥有自主知识产权，完全自主可控，产品广泛应用于集成电路、功率半导体、化合物半导体、5G芯片、光通信、MEMS等新型电子器件制造领域。

        公司可为客户提供“设备制造+工艺技术服务”一体化解决方案。

        不忘初心，砥砺前行。公司始终坚信“科技创新是第一生产力”的科学发展理念，坚持创新驱动，创新领航，深耕半导体行业。致力于推动半导体材料制造与装备技术的发展，通过持续的创新和投入，不断突破技术瓶颈，提高产品性能和质量，满足市场需求，实现国产化替代，助推中国半导体行业高质量发展，为中国半导体发展贡献一己之力。

        一、半导体工艺设备：

        1、氧化/扩散/退火设备：立式炉、卧式炉、SiC高温氧化炉、SiC高温退火炉、

        2、CVD设备：LPCVD立式炉、LPCVD卧式炉

        二、化合物晶体设备：

        1、SiC单晶生长设备：PVT法长晶炉（感应炉、电阻炉）、液相法长晶炉、籽晶粘接设备（软压设备、硬压设备）、

        2、GaN单晶生长设备：HVPE长晶炉（卧式、立式）

        3、Ga₂O₃单晶生长及外延设备：导模法长晶炉、垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）、HVPE外延炉（卧式、立式）

        4、金刚石单晶生长设备：MPCVD长晶炉

        5、GaAs / InP单晶生长设备：坩埚下降炉

        青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司是中国半导体键合集成技术的高新技术企业。公司核心业务涵盖高端键合装备研发制造与精密键合工艺代工，技术广泛应用于先进封装、半导体器件制造、晶圆级异质材料集成及MEMS传感器等前沿领域，通过“装备制造+工艺服务”双轮驱动，构建全产业链解决方案，已成功开发四大自主知识产权产品矩阵：超高真空常温键合系统、混合键合设备、热压键合装备及配套工艺服务。通过持续技术创新，公司致力于为全球半导体产业链提供高精度、工艺稳定、高性价比的键合装备与方案，助力战略新兴产业崛起。

        1、表面活化键合：掌握了ICP\CCP\FAB等全套表面活化技术，可覆盖全系列键合设备场景；

        2、亚微米精准对准技术：掌握Face to Face、片间同轴、红外穿透等主流的亚微米对准技术；

        3、超高真空技术：在超高真空环境中完成活化、对准等工艺，突破真空带来的挑战；

        4、控温控压键合技术：保证高温、高压均匀性；

        5、单片旋涂/清洗技术：高速旋转动平衡、防止返溅污染，保证高键合良率。

        九峰山实验室以建设世界领先的化合物半导体研发和创新中心为愿景，实验室将来自世界各地的才智聚集在一起，打造开放、公共、共享的科研平台，与合作伙伴一起构建可持续发展的未来。成立4年来，已在中国光谷建立起先进的化合物半导体科研及中试平台，拥有多项国际与国内首创成果。未来，九峰山实验室将坚持以用为导向，与合作伙伴一同推动科学进步及化合物半导体产业发展，加快打造全球化合物半导体平台、技术、产业的“灯塔”。

        亚洲氧化镓联盟（Asia Gallium Oxide Alliance，简称AGOA）成立于2022年7月，是由亚洲多家顶尖大学、研究机构及产业单位共同发起的专业组织，旨在推动超宽禁带半导体新材料行业的创新与发展。亚洲氧化镓联盟于2024年1月正式注册成立运营单位《杭州市富阳区镓谷氧化镓产业发展服务中心》，该组织为民办非企业单位。截至2024年底，联盟已成功吸纳近60家成员单位，覆盖氧化镓产业链的上下游资源，形成强大的协同创新网络。

        AGOA致力于打造亚洲氧化镓领域的专业交流平台，促进“产、学、研”深度融合，加速氧化镓材料从实验室研究到市场应用的转化进程，推动其产业化与实用化。秉持“专注行业、专业态度、专心做事”的“三专”理念，AGOA稳步推进氧化镓技术的突破与应用。在联盟成员的共同努力下，氧化镓材料将在低碳、节能、绿色的未来科技中发挥关键作用，为全球可持续发展注入新动力。

        国家第三代半导体技术创新中心(深圳)于2021年12月由科技部授牌，2022年8月由深圳市科技创新局举办成立深圳平湖实验室作为主体运营单位，围绕SiC和GaN及下一代先进功率电子材料及器件、核心装备及零部件、配套材料等领域，开展核心技术攻关。

        实验室位于深圳市龙岗区罗山科技园，占地面积130亩，100级洁净间面积9500平米，拥有业界领先的宽禁带功率半导体基础设施，国际、国内各类先进设备380余台套。实验室人力规模超390人，汇聚海内外顶尖人才，打造面向全国的开放、公共、共享的科研、中试和分析检测平台，共同构建可持续发展的未来。