【会议新闻】联盟与您相约无锡会议---氧化镓亮点抢先看

        对于本次会议中氧化镓的亮点资讯，我们将一一带您浏览，整体分为三个部分，分别是：会员展商、专家报告、联盟活动。

        一、半导体工艺设备：

        1、氧化/扩散/退火设备

        立式炉、卧式炉、SiC高温氧化炉、SiC高温退火炉

        2、CVD设备

        LPCVD立式炉、LPCVD卧式炉

        二、化合物晶体设备：

        1、SiC单晶生长设备

        PVT法长晶炉（感应炉、电阻炉）、液相法长晶炉、籽晶粘接设备（软压设备、硬压设备）

        2、GaN单晶生长设备

        HVPE长晶炉（卧式、立式）

        3、Ga₂O₃单晶生长及外延设备

        导模法长晶炉、垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）、HVPE外延炉（卧式、立式）

        4、金刚石单晶生长设备

        MPCVD长晶炉

        5、GaAs / InP单晶生长设备

        坩埚下降炉

        杭州镓仁半导体于2025年3月5日，发布全球首颗8英寸氧化镓单晶。镓仁半导体是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业，公司依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心，已建成以中国科学院院士为首席顾问，具备丰富行业经验的研发、生产、运营团队。公司开创了氧化镓单晶生长新技术，获得 14 项国际、国内发明专利，打破了西方国家在氧化镓衬底材料上的垄断和封锁。镓仁半导体立足于解决国家重大需求，将深耕于氧化镓上游产业链的持续创新，努力为我国的电力电子等产业的发展提供产品保障。

        镓仁半导体引领行业创新，采用自主研发的铸造法等单晶生长技术，实现6英寸氧化镓单晶衬底和晶圆级（010）单晶衬底的生产技术突破，并开发了首台包含工艺包的氧化镓专用VB长晶设备。公司已掌握氧化镓生长、加工、外延等全链条的核心技术，为客户提供拥有完全自主知识产权的大尺寸高质量氧化镓产品及设备。

        杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年12月31日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技”企业，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单品衬底、MOCVD外延片、MBE外延片、氧化镓晶体生长及加工装备，产品主要服务于功率器件、微波射频及光电探测等领域。

        获得国际专利授权12项(美国6项，日本6项)，国内专利授权40项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权（“一键长晶”控制软件）3项。

        本次会议中氧化镓的相关报告已整理在下方表格，欢迎大家查阅。