【器件论文】设计用于微波无线电力传输的高频 Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管

        由日本大阪公立大学的研究团队在学术期刊 Japanese Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 Design of high-frequency Ga₂O₃ Schottky barrier diodes for microwave wireless power transmission（设计用于微波无线电力传输的高频 Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管）的文章。

摘要

        Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管（SBDs）因其优越的物理特性，在微波无线电力传输的整流天线（rectenna）电路中具有潜在应用价值。该研究首先利用器件仿真软件，对高频 Ga₂O₃ SBD 结构进行优化设计，以最大化截止频率。随后，将优化后的 Ga₂O₃ SBD 的仿真器件特性导入电路仿真软件，计算其在 24 GHz 运行时的整流效率（η）。研究发现，当 SBD 具有 n⁺-Ga₂O₃ 过渡层，且其电子浓度高达 4 × 10²⁰ cm^-3 时，最大整流效率（η）可达约 80%，且不受阳极面积影响。结果表明，Ga₂O₃ SBDs 在 10 GHz 以上的频率范围内，在整流天线电路中具有广阔的应用前景。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1347-4065/adbeab