【外延论文】氦离子束辐照对硅掺杂 Ga₂O₃ 外延薄膜物理性质的影响

        由韩国釜山大学的研究团队在学术期刊 Journal of the Korean Physical Society 发布了一篇名为 Effect of helium ion beam irradiation on the physical properties of Si-doped Ga₂O₃ epitaxial thin films（氦离子束辐照对硅掺杂 Ga₂O₃ 外延薄膜物理性质的影响）的文章。

摘要

        本研究探讨了氦离子束辐照对硅掺杂 β-Ga₂O₃（Si:Ga₂O₃）外延薄膜的结构与输运性质的影响。Si:Ga₂O₃ 外延薄膜采用脉冲激光沉积法（PLD）在（0001）Al₂O₃ 衬底上生长。尽管 Si 浓度不同，这些薄膜仍保持与（0001）Al₂O₃ 衬底一致的（−201）外延取向。此外，利用氦离子束辐照来模拟宇宙射线（如 α 粒子）的大量辐照对材料结构和电子特性的影响。研究结果表明，氦离子辐照导致 Si:Ga₂O₃ 外延薄膜的结构和输运性能劣化。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s40042-025-01326-5