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【会议新闻】氧化镓材料相关报告抢先看！2025功率半导体制造及供应链高峰论坛
日期：2025-02-25阅读：369
2025年2月26-28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与三安光电股份有限公司共同主办，极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业、重庆三安半导体有限责任公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，重庆大学、重庆邮电大学、湖南三安半导体有限责任公司等单位协办。
国家自然科学基金委员会高技术研究发展中心原技术总师史冬梅受邀将出席论坛，并带来《氧化镓和金刚石超宽禁带半导体技术发展态势》的大会报告。报告将重点介绍近年来日本、美国、英国等发达国家在氧化镓和金刚石等超宽禁带半导体方面的发展战略、科技计划和项目部署情况，梳理和分析这些国家在氧化镓和金刚石宽禁带半导体方面进展和发展态势。
嘉宾简介：史冬梅，二级研究员，工学博士，博士后合作导师。曾获得国家科技进步三等奖1项、国防科技进步二等奖1项，部级科技进步二等奖6项和三等奖1项。曾任科技部高技术研究发展中心材料处处长，长期从事新材料领域国家863计划、国家重点研发计划重点专项等科技计划项目管理工作。长期开展新材料、新能源等高新技术领域发展战略、科技计划管理机制等科技政策研究，主持和参与完成“世界高技术发展趋势跟踪研究”、“高技术重点领域产业链供应链科技支撑”等多项国家软科学研究计划、科技部科技创新战略研究专项、科技部高端智库课题等战略研究课题工作, 撰写多篇战略研究报告和论文。现任《中国基础科学》副主编、《前沿科学》编委会副主任。
杭州镓仁半导体有限公司将携多款产品亮相此次论坛。值此，诚挚邀请先进半导体产业同仁共聚论坛，莅临A06号展位参观交流、洽谈合作。浙江大学教授、杭州镓仁半导体有限公司董事长张辉将出席论坛，并带来《大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展》的主题报告。
嘉宾简介：张辉教授是杭州镓仁半导体有限公司董事长，是浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院双聘教授，博士生导师。针对功率器件材料的迫切需求，开展了氧化镓单晶材料的熔体法生长、缺陷控制、晶体加工以及掺杂等方面的研究。曾在Chem. Soc. Rev., J. Am. Chem. Soc., Nano Lett., Adv. Mater., Angew. Chem. Int. Ed.等国际著名期刊上发表了系列论文。2007年获全国百篇优秀博士学位论文提名，2008年获浙江省科学技术一等奖（排名第三），2013年获国家自然科学二等奖（排名第二）。2014年入选国家万人计划“青年拔尖人才”项目。2015年获国家自然科学基金优秀青年基金。
大连理工大学副教授张赫之受邀将出席论坛，并带来《氧化镓外延生长中扩展缺陷形成机制及其对功率器件影响》的主题报告，分享相关研究成果与进展，涉及β-Ga2O3厚膜外延中缺陷扩展的研究等内容报告将分享相关最新进展。
嘉宾简介：张赫之，于法国巴黎十一大学获得博士学位，师从Maria Tchernycheva研究员。2016年8月，加入瑞士联邦理工大学(EPFL)，在宽禁带半导体领域研究专家Nicolas Grandjean教授研究组从事博士后研究员。现任大连理工大学集成电路学院副教授，主要事第三代宽禁带半导体器件的研究。工作成果多次发表在ACS applied material andinterface, Applied physics letter, Nanotechnology等高水平期刊上。
重庆师范大学李万俊教授将出席论坛，并带来《超宽禁带氧化镓基日盲深紫外光电探测器》的主题报告，将围绕氧化镓基日盲深紫外光电探测器的研究进展展开，重点介绍课题组的最新研究成果。
嘉宾简介：李万俊，理学博士，重庆师范大学教授、硕士生导师，重庆市巴渝学者青年学者，重庆市学术技术带头人后备人选，重庆师范大学领军人才、青年拔尖人才、师德标兵，重庆物理学会理事，重庆市光学学会理事，重庆市电子协会宽禁带半导体材料与器件专委会常务委员，担任Advanced Materials等40余部国内外学术期刊审稿人、《半导体光电》、《重庆大学学报》青年编委。主要从事宽禁带半导体材料与器件研究等工作，主持国家级和省部级科研项目6项。在Advanced Science、Small、Advanced Optical Materials、Applied Physics Letters、Optics Express、Chemical Engineering Journal、ACS Applied Materials & Interfaces、Small Methods等国内外刊物上发表相关学术论文90余篇，其中，入选ESI热点1‰论文2篇，授权发明专利1项。研究成果获重庆市自然科学二等奖。
福州大学副教授许晓锐将受邀出席论坛，并带来《高压低导通氧化镓功率二极管器件设计与关键工艺研究》的主题报告，将围绕关键问题，分享相关研究进展与成果。欲知更多报告详情，敬请关注！
嘉宾简介：许晓锐博士，现为福州大学物信学院微电子系专任教师，福建省引进生，福建省高层次人才，硕士生导师。许晓锐博士一直从事功率半导体领域关键性材料、器件与应用方向的研究，围绕“高耐压、低功耗、高可靠性”这一核心科学问题开展研究工作，主要研究方向包括超宽禁带Ga2O3材料厚膜外延、Si基和Ga2O3基功率半导体器件设计与工艺开发。目前以第一（通讯）作者在T-IE、T-PEL、EDL、APL、ISPSD等国际知名期刊/会议发表15篇高水平论文。
