【器件论文】基于 Ga₂O₃ / CH₃NH₃PbI₃ 的高外部量子效率光电探测器

        近期，由长春理工大学的研究团队在学术期刊Applied Surface Science发布了一篇名为High external quantum efficienc photodetector based on Ga₂O₃ / CH₃NH₃PbI₃（基于 Ga₂O₃ / CH₃NH₃PbI₃ 的高外部量子效率光电探测器）的文章。

摘要

        本文通过在 Ga₂O₃ / Au MSM PD 的薄膜表面旋涂CH₃NH₃PbI₃，成功制备了具有高外量子效率 (EQE) 的 Ga₂O₃ / CH₃NH₃PbI₃ 光电探测器 (PD)。与 Ga₂O₃ 薄膜器件相比，异质结器件的暗电流从 5.20 nA 降至 0.09 nA，在 40 V 偏压下的响应度从 0.18 A/W 增加到 14.01 A/W。值得注意的是，在相同偏压（40 V）下，Ga₂O₃ / CH₃NH₃PbI₃ PD 的 EQE 高达 6686%，是Ga₂O₃ / Au PD（85.89%）的 78 倍。高 EQE 归因于施加电场引起的碰撞电离倍增。此外，异质结的构建加速了 PD 的响应速度。这项工作对选择异质材料和构建 PD 以优化器件性能具有重要意义。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.161508