【器件论文】氧化镓日盲紫外线光电探测器：综述

        近期，由中山大学的研究团队在学术期刊Journal of Materials Chemistry C发布了一篇名为Gallium oxide solar-blind ultraviolet photodetectors: a review （氧化镓日盲紫外线光电探测器：综述 ）的文章。

摘要

        近年来，日盲紫外（UV）光探测器因其在高温事件监测、反恐、安全以及临时网络通信领域的不可替代的特性，受到了半导体器件研究人员的极大关注。作为第三代半导体的重要成员，β-Ga₂O₃凭借其超宽带隙（约4.9 eV）、经济性、高辐射抗性以及出色的化学和热稳定性，被认为是日盲UV探测器最有前途的候选材料之一。在本综述中，我们全面回顾了基于Ga₂O₃的日盲UV光探测器的发展历程，详细介绍了过去十年中材料生长方法和器件制造工艺的进展。我们对当前报道的基于Ga₂O₃的日盲UV光探测器进行了分类（主要包括光电导探测器、异质PN结探测器和肖特基结探测器），并总结了它们各自的优点和改进潜力。最后，考虑到实际应用需求，我们提出了一些有意义的建议，如能带工程和均质外延，以推动未来Ga₂O₃材料生长和器件制造的发展。

原文链接：

https://doi.org/10.1039/C9TC02055A