【器件论文】氧分压对溅射垂直 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结二极管性能的影响

        由乌卡西耶威切研究联盟的研究团队在学术期刊Materials Science in Semiconductor Processing发布了一篇名为The influence of oxygen partial pressure on the properties of sputtered vertical NiO/β-Ga₂O₃ heterojunction diodes（氧分压对溅射垂直 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结二极管性能的影响）的文章。

摘要

        在本项工作中，我们研究了氧分压对溅射垂直 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结二极管性能的影响。研究结果表明，氧分压对 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结二极管的电气性能有很大影响。在纯氩气中沉积有NiO层的二极管显示出肖特基式的 I-V 特性，具有 1.05 的低理想因子和 1.27 eV 的势垒高度，以及接近 1V 的低导通电压。另一方面，在含氧环境中沉积有NiO层的二极管显示出典型的 p-n结二极管特性。在含氧量为 50% 的条件下沉积的NiO层二极管具有最佳的电气特性，即 2.85 mΩcm² 的低导通电阻、在室温下理想因子低至 1.07 的理想因子，以及接近 900V 的高击穿电压（无任何结端接）。我们已经证明，通过优化氧分压，可以调整 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结二极管的特性，并获得低导通电阻、高击穿电压、低泄漏电流和低理想因子等优异的电气性能。

DOI：

doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108842